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  • MOS管的死區損耗計算介紹
    • 發布時間:2024-07-25 18:57:05
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    MOS管的死區損耗計算介紹
    MOS 管在逆變電路,開光電源電路中經常是成對出現,習慣上稱之為上管和下管,如圖Figure 1中的同步Buck 變換器,High-side MOSFET 為上管, Low-side MOSFET為下管。
    MOS管 死區損耗計算
    如果上管和下管同時導通,就會導致電源短路,MOS 管會損壞,甚至時電源損壞,這種損壞是災難行動,必須避免.由于MOS 的開通和關斷都是有時沿的,為了避免上管和下管同時導通,造成短路現象,從而引入了死區的概念,也就是上下管同時關斷的區間,如圖Figure2 中的E 和 F。
    MOS管 死區損耗計算
    死區E---tDf上管關斷,下管還沒開啟,下管體二極管續流,電流從最大值Io + ΔI/2 開始下降,由于死區時間很短,工程上計算可以近似為死區E的電流恒定,以方便計算。
    死區E對應的功耗為:
    MOS管 死區損耗計算
    死區F---tDf下管關斷,上管還沒開啟,下管體二極管續流,電流接近最小值Io - ΔI/2 ,由于死區時間很短,工程上計算可以近似為死區F的電流恒定,以方便計算。
    死區F對應的功耗為:
    MOS管 死區損耗計算
    工程上快速估算時,也會用把兩個死區的電流平均化,近似用Io替代, 一個完整的開關周期的死區損耗如下:
    MOS管 死區損耗計算
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