場效應管可以用在控制回路中，起到控制負載回路通斷的作用，也可以用在防反接電路中，避免電源防接將電路燒壞。二極管可以實現(xiàn)電源防反接，但是二極管會產(chǎn)生正向壓降，不適合低電壓供電的情況，如3.3V。而場效應管因為內(nèi)阻低，所以導通壓降可以忽略不計。下面以MOSFET為例來介紹場效應管的防反接原理。
NMOS防反接原理
用NMOS設計防反接電路時，需要將NMOS放在電源的低端側(cè)。所設計的原理示意圖如下圖所示。
當電源反接的時候，G極為低電平和S極同電位，NMOS不導通，不會燒壞負載。當電源正接的時候，G極高電平，D極為低電平，因為寄生二極管的存在，S極的電平為0.7V，此時VGS為VBat-0.7V大于Vth，則NMOS導通，電路正常工作。
PMOS防反接原理
用PMOS設計防反接電路時，需要將PMOS放在電源的高側(cè)。所設計的電路示意圖如下圖所示。
當電源反接時，G極為高電平，PMOS不導通，避免負載電路被燒壞；當電源正接時，G極為低電平，因為寄生二極管的原因，S極為VBat-0.7，所以，Vgs小于零，所以PMOS導通，電路正常工作。
需要注意的問題
在設計防反接電路時，NMOS要放在低端側(cè)；PMOS要放在高端側(cè)。這一點一定要注意。
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