判定MOS管的帶載能力的方法
MOS管簡單模型
MOS管的帶載能力與漏源電流和內(nèi)阻息息相關(guān)。漏源電流越大，內(nèi)阻越小，MOS管的帶載能力越強(qiáng)。分析如下：
MOSFET在導(dǎo)通之后，其特性可以近似認(rèn)為是一個(gè)電阻，VCC→RDS（on） →RL→GND形成回路。
按照電阻分壓原理，串聯(lián)電路中的分壓與阻值成正比，電阻值越大分得的電壓越多。
所以內(nèi)阻越小，它在同樣的電源消耗條件下對于相同阻抗的負(fù)載來說所分走并消耗在自身上的電壓越低，而負(fù)載上的電壓越高，可以帶起功率更大的負(fù)載來。
內(nèi)阻越大，管子自身消耗的功率越多，管子越容易發(fā)熱，壽命變短，甚至炸裂。內(nèi)阻越小，負(fù)載產(chǎn)生的分壓越多，獲得的能量就越大，說明帶載能力越強(qiáng)，所以一般選用內(nèi)阻較低的MOS管。
當(dāng)驅(qū)動(dòng)電壓為10V，導(dǎo)通電阻為0.12Ω。內(nèi)阻RDS（on）跟什么有關(guān)呢？
1.MOS的導(dǎo)通電阻隨溫度上升而上升，下圖顯示該MOS的導(dǎo)通電阻在結(jié)溫為130℃的時(shí)候，為20℃時(shí)候的2倍。
2.從下圖可以看到，驅(qū)動(dòng)電壓越高，實(shí)際上導(dǎo)通電阻略大，而且最大導(dǎo)通電流也略大。根據(jù)經(jīng)驗(yàn)，一般Vgs設(shè)為12V左右。
如何增強(qiáng)MOS管的帶載能力呢？除了選擇本身漏源電流比較大MOS管外，還可以采用MOS管并聯(lián)的方式。
并聯(lián)時(shí)自動(dòng)均流，相當(dāng)于把原來的電流平均分成兩等分，分別加在兩個(gè)MOS管上。也可以理解為并聯(lián)后內(nèi)阻減小為原來的一半，可以驅(qū)動(dòng)更重的負(fù)載。
一般大功率的功放用MOSFET管，因?yàn)樗膬?nèi)阻更小。反過來說的話，如果負(fù)載內(nèi)阻小了，那么如果放大器輸出阻抗不變的話，放大器末級管子所分得的電壓比例就會上升；
所以現(xiàn)在的音響正是因?yàn)橛辛说蛢?nèi)阻的MOS管，才得以向小阻抗的負(fù)載發(fā)展，以得到更好的動(dòng)態(tài)效果。
帶載能力
帶負(fù)載能力如是指電路中的，那就是和它的最大輸能力有關(guān)，并還要進(jìn)行最適宜的阻抗匹配，也就是盡量做到外阻抗正好等于內(nèi)阻抗時(shí)才可達(dá)到最大出功率。
一般的測量是看它的失真度，也可這說，同一電路在外條件（器件功率，耐壓，散熱，電源，激勵(lì)，……）都夠時(shí)那電源電壓越高它的帶負(fù)載能力越大。
電路中帶載是指明確了某一輸出（某個(gè)元件看作負(fù)載），能夠滿足此元件工作要求的能力，比如電壓、電流的能力稱為帶載能力。
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