MOS管和三極管原理圖對(duì)比分析
在電路設(shè)計(jì)當(dāng)中假設(shè)我們想要對(duì)電流中止控制，那就少不了三極管的幫助。我們俗稱(chēng)的三極管其全稱(chēng)為半導(dǎo)體三極管，它的主要作用就是將微小的信號(hào)中止放大。MOS管與三極管有著許多相近的地方，這就使得一些新手不斷無(wú)法明白兩者之間的區(qū)別，本篇文章就將為大家引見(jiàn)三極管和MOS管的一些不同。
關(guān)于三極管和MOS管的區(qū)別，簡(jiǎn)單總結(jié)了幾句話便當(dāng)大家理解。
從性質(zhì)上來(lái)說(shuō)：三極管用電流控制，MOS管屬于電壓控制。
從本錢(qián)上來(lái)說(shuō)：三極管低價(jià)，MOS管貴。
關(guān)于功耗問(wèn)題：三極管損耗大。
驅(qū)動(dòng)能力上的的不同：MOS管常用于電源開(kāi)關(guān)以及大電流地方開(kāi)關(guān)電路。
MOS管和三極管原理圖并不復(fù)雜，但是分開(kāi)講述細(xì)節(jié)，反而不如對(duì)比起來(lái)容易理解。這里用一張圖，讓您輕松理解MOS管和三極管的工作原理。
MOS管和三極管區(qū)別原理圖
這里以NMOS和NPN三極管為例，并且以電子流（而非電流）方向?yàn)橹鱽?lái)說(shuō)明。
一、MOS管和三極管符號(hào)
MOS管一般可以簡(jiǎn)化為三個(gè)極，分別是柵極（G）源極（S）和漏極（D），MOS器件是電壓控制型器件，用柵極電壓來(lái)控制源漏的導(dǎo)通情況；
BJT三極管有三個(gè)極，分別是基極（B）發(fā)射極（E）和集電極（C），三極管是電流控制型器件，用基極電流來(lái)控制發(fā)射極與集電極的導(dǎo)通情況；
二、MOS管和三極管截止區(qū)
NMOS管的如果柵壓小于閾值電壓，MOS管相當(dāng)于兩個(gè)背靠背的二極管，不導(dǎo)通；
NPN三極管也一樣，如果偏壓小于閾值電壓，也相當(dāng)于兩個(gè)背靠背的二極管，不導(dǎo)通；
三、MOS管和三極管線性區(qū)
NMOS如果柵上加正電壓，就會(huì)在其下感應(yīng)出相反極性的負(fù)電荷，從而產(chǎn)生N型溝道，使源漏導(dǎo)通。如果不考慮源漏電壓影響，則柵壓高一點(diǎn)，產(chǎn)生的溝道就寬一點(diǎn)，導(dǎo)通能力就大一點(diǎn)，這就是線性區(qū)。
NPN管如果BE結(jié)加正向偏置導(dǎo)通，電子就會(huì)進(jìn)入到基區(qū)。除了被基區(qū)的P型空穴俘獲外，它們有兩個(gè)地方可以去：一個(gè)是從基極流出，一個(gè)是被集電極更高的正電壓吸收。集電極電壓越高，能收集到的電子就會(huì)越多，這也是線性變化的。
四、MOS管和三極管飽和區(qū)
NMOS在漏極電壓比較高時(shí)，會(huì)使溝道夾斷，之后即使電壓升高，電流不會(huì)再升高，因此叫做飽和區(qū)；
NPN三極管在集電極電壓比較高時(shí)，也會(huì)幾乎全部收集到從發(fā)射極過(guò)來(lái)的電子，電壓再升高也沒(méi)有辦法收集到更多，也是它的飽和區(qū)。
五、MOS管和三極管電流電壓曲線
MOS管和三極管區(qū)別的在線性區(qū)，隨著電壓升高，源漏電流或集電極電流上升。而在飽和區(qū)電壓升高，電流基本都保持不變。二者的趨勢(shì)基本一致。
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