分析之前，需要對(duì)PN節(jié)相關(guān)的半導(dǎo)體知識(shí)，明白擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)與漂移運(yùn)動(dòng)的形成原因，明白多子與少子、空穴與電子的概念，針對(duì)清華大學(xué)華成英老師教材課件，最終形成如下分析：
N（negative）區(qū)的多子為電子，P（Positive）區(qū)的多子為空穴；
三極管發(fā)射區(qū)（即E區(qū)，為N區(qū)）多子（電子）濃度高，基區(qū)（即B區(qū)，為P區(qū)）薄則多子（空穴）濃度低，集電區(qū)面積大；
當(dāng)發(fā)射結(jié)正偏時(shí)(即B區(qū)電位高于E區(qū)電位)，此時(shí)發(fā)射結(jié)兩側(cè)P區(qū)和N區(qū)進(jìn)行擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)，擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)由多子的運(yùn)動(dòng)引起，則發(fā)射區(qū)電子從發(fā)射區(qū)擴(kuò)散至基區(qū)，基區(qū)空穴從基區(qū)擴(kuò)散至發(fā)射區(qū)，由于電子濃度遠(yuǎn)大于空穴，則基區(qū)與空穴復(fù)合的電子數(shù)量極少，此時(shí)基區(qū)存在大量自由電子；
此時(shí)應(yīng)思考，最終目的是保證基區(qū)的自由電子最終達(dá)到集電區(qū)，使三極管集電區(qū)和發(fā)射區(qū)導(dǎo)通：從基區(qū)到發(fā)射區(qū)的電子運(yùn)動(dòng)，基區(qū)為P區(qū)，電子為少子，為實(shí)現(xiàn)少子漂移運(yùn)動(dòng)，則應(yīng)將集電結(jié)反偏（即C區(qū)電位高于B區(qū)電位），此時(shí)基區(qū)大量的從發(fā)射區(qū)擴(kuò)散而來(lái)的自由電子漂移至集電區(qū)；
電場(chǎng)方向與電子運(yùn)動(dòng)方向相反，則此時(shí)集電區(qū)與發(fā)射區(qū)導(dǎo)通，滿(mǎn)足放大條件。
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