cmos電路簡介
CMOS電路是互補(bǔ)型金屬氧化物半導(dǎo)體電路(Complementary Metal-Oxide-Semiconductor)的英文字頭縮寫，它由絕緣場效應(yīng)晶體管組成，由于只有一種載流子，因而是一種單極型晶體管集成電路，其基本結(jié)構(gòu)是一個(gè)N溝道MOS管和一個(gè)P溝道MOS管，如下圖所示。
CMOS電路基本結(jié)構(gòu)示意圖
cmos電路工作原理
cmos電路分析工作原理如下：
由于兩管柵極工作電壓極性相反，故將兩管柵極相連作為輸入端，兩個(gè)漏極相連作為輸出端，如圖1(a)所示，則兩管正好互為負(fù)載，處于互補(bǔ)工作狀態(tài)。
當(dāng)輸入低電平(Vi=Vss)時(shí)，PMOS管導(dǎo)通，NMOS管截止，輸出高電平，如圖1(b)所示。
當(dāng)輸入高電平（Vi=VDD）時(shí)，PMOS管截止，NMOS管導(dǎo)通，輸出為低電平，如圖1(c)所示。
兩管如單刀雙擲開關(guān)一樣交替工作，構(gòu)成反相器。
主板CMOS電路分析
一、主板CMOS電路分析-主板CMOS電路組成
1. CMOS電路由于要保存CMOS存儲器中的信息，在主板斷電后，由一塊紐扣電池供電使CMOS電路正常工作，保證CMOS存儲器中的信息不丟失。CMOS電路在得到不間斷的供電和外圍專用晶振提供的時(shí)鐘信號后，將一直處于工作狀態(tài)，可隨時(shí)參與喚醒任務(wù)（即開機(jī)）。
2. CMOS電路主要由CMOS隨機(jī)存儲器．實(shí)時(shí)時(shí)鐘電路（包括振蕩器．晶振、諧振電容 等）、跳線、南橋芯片、電池及供電電路等幾部分組成。
二、主板CMOS電路分析-CMOS隨機(jī)存儲器
CMOS隨機(jī)存儲器的作用是存儲系統(tǒng)日期、時(shí)間、主板上存儲器的容量、硬盤的類型和數(shù)目、顯卡的類型，當(dāng)前系統(tǒng)的硬件配置和用戶設(shè)置的某些參數(shù)等重要信息，開機(jī)時(shí)由BIOS對系統(tǒng)自檢初始化后，將系統(tǒng)自檢到的配置與CMOS隨機(jī)存儲器中的參數(shù)進(jìn)行比較，正確無誤后才啟動系統(tǒng)。
三、主板CMOS電路分析-實(shí)時(shí)時(shí)鐘電路
1.實(shí)時(shí)時(shí)鐘電路的作用是產(chǎn)生32. 768kHz的正弦波形時(shí)鐘信號，負(fù)責(zé)向CMOS電路和開機(jī)電路提供所需的時(shí)鐘信號(CLK)。實(shí)時(shí)時(shí)鐘電路主要包括振蕩器（集成在南橋中）、32.768kHz的晶振、諧振電容等元器件。
CMOS電路分析ESD保護(hù)結(jié)構(gòu)的設(shè)計(jì)
大部分的ESD電流來自電路外部，因此ESD保護(hù)電路一般設(shè)計(jì)在PAD旁，I/O電路內(nèi)部。典型的I/O電路由輸出驅(qū)動和輸入接收器兩部分組成。ESD 通過PAD導(dǎo)入芯片內(nèi)部，因此I/O里所有與PAD直接相連的器件都需要建立與之平行的ESD低阻旁路，將ESD電流引入電壓線，再由電壓線分布到芯片各個(gè)管腳，降低ESD的影響。具體到I/O電路，就是與PAD相連的輸出驅(qū)動和輸入接收器，必須保證在ESD發(fā)生時(shí)，形成與保護(hù)電路并行的低阻通路，旁路 ESD電流，且能立即有效地箝位保護(hù)電路電壓。而在這兩部分正常工作時(shí)，不影響電路的正常工作。
常用的ESD保護(hù)器件有電阻、二極管、雙極性晶體管、MOS管、可控硅等。由于MOS管與CMOS工藝兼容性好，因此常采用MOS管構(gòu)造保護(hù)電路。
CMOS工藝條件下的NMOS管有一個(gè)橫向寄生n-p-n(源極-p型襯底-漏極)晶體管，這個(gè)寄生的晶體管開啟時(shí)能吸收大量的電流。利用這一現(xiàn)象可在較小面積內(nèi)設(shè)計(jì)出較高ESD耐壓值的保護(hù)電路，其中最典型的器件結(jié)構(gòu)就是柵極接地NMOS(GGNMOS，GateGroundedNMOS)。
在正常工作情況下，NMOS橫向晶體管不會導(dǎo)通。當(dāng)ESD發(fā)生時(shí)，漏極和襯底的耗盡區(qū)將發(fā)生雪崩，并伴隨著電子空穴對的產(chǎn)生。一部分產(chǎn)生的空穴被源極吸收，其余的流過襯底。由于襯底電阻Rsub的存在，使襯底電壓提高。當(dāng)襯底和源之間的PN結(jié)正偏時(shí)，電子就從源發(fā)射進(jìn)入襯底。這些電子在源漏之間電場的作用下，被加速，產(chǎn)生電子、空穴的碰撞電離，從而形成更多的電子空穴對，使流過n-p-n晶體管的電流不斷增加，最終使NMOS晶體管發(fā)生二次擊穿，此時(shí)的擊穿不再可逆，則NMOS管損壞。
為了進(jìn)一步降低輸出驅(qū)動上NMOS在ESD時(shí)兩端的電壓，可在ESD保護(hù)器件與GGNMOS之間加一個(gè)電阻。這個(gè)電阻不能影響工作信號，因此不能太大。畫版圖時(shí)通常采用多晶硅(poly)電阻。
只采用一級ESD保護(hù)，在大ESD電流時(shí)，電路內(nèi)部的管子還是有可能被擊穿。GGNMOS導(dǎo)通，由于ESD電流很大，襯底和金屬連線上的電阻都不能忽略，此時(shí)GGNMOS并不能箝位住輸入接收端柵電壓，因?yàn)樽屳斎虢邮斩藮叛趸鑼拥碾妷哼_(dá)到擊穿電壓的是GGNMOS與輸入接收端襯底間的IR壓降。為避免這種情況，可在輸入接收端附近加一個(gè)小尺寸GGNMOS進(jìn)行二級ESD保護(hù)，用它來箝位輸入接收端柵電壓，如下圖所示。
常見ESD的保護(hù)結(jié)構(gòu)和等效電路
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