導(dǎo)通電阻Rds(ON)是場(chǎng)效應(yīng)管（MOSFET）的一項(xiàng)重要參數(shù)，是工作時(shí)MOSFET漏極D和源極S之間的電阻值，單位是歐姆。對(duì)于同類MOSFET器件，Rds(ON)數(shù)值越小，工作時(shí)的損耗（功率損耗）就越小，所以實(shí)際應(yīng)用中要求Rds(ON)越小越好。
由于能源日趨緊張，越來越多的均需要超低Rds(ON)，例如ORing、熱插拔操作、同步整流、電機(jī)控制與蓄電池保護(hù)等，以便降低I2R損耗并提高效率。然而，具備類似Rds(ON)的一些同類器件，由于在縮小晶圓單元間隔的同時(shí)，其SOA(評(píng)估MOSFET耐受性的性能)和最大ID額定電流將會(huì)被降額或折中。
導(dǎo)通電阻Rds(ON)原理
推出了型號(hào)為PSMNR58-30YLH的業(yè)界超低導(dǎo)通電阻MOSFET，其最大Rds(ON)僅僅0.67歐姆，最大額定漏極電流可達(dá)380A。該參數(shù)對(duì)電機(jī)控制應(yīng)用尤為重要，因?yàn)殡姍C(jī)堵轉(zhuǎn)的瞬間會(huì)產(chǎn)生超大電涌，MOSFET必須承受這些電涌，才能確保安全可靠運(yùn)行。
雖然目前也有廠商宣稱提供類似器件，但是他們的最大ID電流是計(jì)算出的，不是測(cè)試數(shù)據(jù)。Nexperia的半導(dǎo)體產(chǎn)品實(shí)測(cè)持續(xù)電流能力高達(dá)380安培，并且100%最終生產(chǎn)測(cè)試的持續(xù)電流值高達(dá)190安培。
一般來說，降低Rds(ON)要通過增大封裝尺寸來實(shí)現(xiàn)。值得注意的是，PSMNR58-30YLH采用采用獨(dú)特的銅夾結(jié)構(gòu)，兩種封裝形式LFPAK56(Power-SO8)、LFPAK33(Power33)均能吸收熱應(yīng)力，提升質(zhì)量和可靠性，而且4引腳LFPAK56封裝的安裝尺寸僅30平方毫米，管腳間距1.27毫米。
目標(biāo)應(yīng)用上，PSMNR58-30YLH MOSFET憑借低Rds(ON)、高額定ID，以及毫不折中的SOA等級(jí)、質(zhì)量和可靠性，能充分滿足汽車、充電樁、光伏發(fā)電、風(fēng)力發(fā)電等苛刻環(huán)境需求，是無刷直流(BLDC)電機(jī)控制（全橋式三相拓?fù)洌琌Ring服務(wù)器電源、熱插拔操作和同步整流，蓄電池保護(hù)，以及手機(jī)快速充電和直流負(fù)荷開關(guān)應(yīng)用設(shè)計(jì)的理想選擇。
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